
Если говорить об ионно-плазменном напылении в вакуумной камере, многие сразу представляют себе идеально чистый процесс и равномерные плёнки. На практике же, ключевое — это не столько сама вакуумная камера, сколько управление плазмой и состоянием подложки. Частая ошибка — гнаться за сверхвысоким вакуумом, забывая о подготовке поверхности и стабильности разряда.
Всё начинается не с включения насосов. Перед тем как загнать деталь в камеру, нужно решить, как её очистить. Механическая обработка, ультразвуковая ванна в ацетоне — это стандартно. Но для ответственных покрытий, особенно на сталях или титане, мы часто используем ионную бомбардировку прямо в камере. Не та, что для напыления, а предварительная, аргоном. Давление около 0.1 Па, напряжение смещения на детали — минус 500-800 В. Минут 15-20. Это убирает последние следы адсорбированных газов и оксидов. Без этого адгезия будет непредсказуемой, как бы хорошо ни работал катод.
Здесь многие споткнутся на подвесе. Если деталь сложной формы, нужно обеспечить ей 'линию визирования' на мишень и при этом не создать затенённых зон, где будет накапливаться статический заряд. Иногда приходится вращать или качаться. Оборудование от ООО Чжэнчжоу Лицзя Термического Напыления Оборудования (сайт — https://www.lijiacoating.ru) в своих установках часто предлагает модульные системы подвеса, что удобно. Компания, профессионально занимающаяся разработкой оборудования для термического напыления, понимает, что универсального держателя не бывает.
Температура подложки — отдельная песня. Часто её не контролируют, а просто дают нагреться от плазмы. Это может сработать для тугоплавких покрытий, но для точных функциональных слоёв — нет. Мы ставили дополнительный резистивный или ИК-нагрев, чтобы стартовать с 200-300°C. Это кардинально меняет структуру растущей плёнки, уменьшает внутренние напряжения.
Магнетронный катод — вещь привычная, но в ионно-плазменном напылении его работа в вакууме — это баланс. Нужно поддерживать стабильный разряд при давлениях в районе 0.3-0.5 Па (для аргона). Если давление упадёт, разряд может стать нестабильным, 'заблуждаться' по мишени. Если поднять выше — увеличится рассеяние, и плёнка станет более рыхлой. Здесь важен хороший масс-расходомер на газ и быстрый отклик системы регулирования давления. Не раз бывало, что дешёвый контроллер с запаздыванием приводил к осаждению нестехиометричного нитрида титана.
Сама мишень. Казалось бы, купил готовую, вставил — и работай. Но если речь о сплавах, то со временем её поверхность обедняется более лёгким компонентом. Для напыления, скажем, TiAlN, это критично. Приходится или чаще менять мишень, или использовать сегментированные, или переходить на импульсный режим, чтобы уменьшить перегрев и сегрегацию. Это уже тонкая настройка.
Ионная составляющая — вот что отличает метод. Приложенное к подложке отрицательное смещение (bias) притягивает ионы аргона и металла. Они непрерывно 'бомбардируют' растущий слой, уплотняя его, выбивая слабосвязанные атомы. Величина смещения — ключевой параметр. Слишком маленькое — покрытие будет мягким, столбчатой структуры. Слишком высокое — начнётся резуттеринг, выбивание уже осаждённого материала, и рост замедлится до нуля. Опытным путём для твёрдых покрытий на режущий инструмент мы обычно находили диапазон от -50 до -120 В. Но это зависит от расстояния подложка-мишень и давления.
Самая частая проблема в процессе — это возникновение дуговых разрядов на мишени. Особенно при использовании реактивного газа, того же азота. На поверхности мишени образуется диэлектрический нитрид, заряжается, пробивается — и бах, микро-дуга. Она вырывает кусок материала, который в виде макрочастицы летит на подложку, убивая качество покрытия. Современные источники питания имеют системы arc suppression, которые за доли микросекунды гасят такую дугу. Если у вас старый источник, можно попробовать увеличить скорость прокачки мишени или немного поднять давление, но это паллиатив.
Неравномерность толщины — классика. Даже в небольшой камере, если подложки стоят статично, разброс по толщине может быть 30% и больше. Закон косинуса работает безжалостно. Поэтому без вращения или планетарной системы — никуда. Но и тут есть нюанс: при сложном вращении может меняться эффективное смещение на детали, что влияет на свойства покрытия. Нужно калибровать и проверять.
Контаминация. Камера после напыления алюминия или меди — это одно. А после вольфрама или карбидов — другое. Остаточный материал оседает на стенках, затворах, затем может осыпаться в следующих циклах. Регулярная чистка камеры — обязательный ритуал. Иногда для разных типов покрытий лучше иметь отдельные камеры или сменные экраны, что, впрочем, дорогое удовольствие.
Приведу пример из практики. Была задача нанести износостойкое покрытие CrN на стальную пресс-форму для литья пластмасс. Форма большая, с глубокими полостями. Стандартный подход с ионно-плазменным напылением в вакуумной камере давал хорошую адгезию, но в углах покрытие было тоньше и менее плотным из-за затенения.
Что сделали? Во-первых, спроектировали специальный подвес с двумя осями вращения, чтобы 'подставить' все внутренние поверхности под поток. Во-вторых, на этапе ионной очистки использовали импульсный bias с более высоким напряжением, чтобы ионы лучше заворачивали в углы. В-третьих, в процессе напыления периодически меняли конфигурацию магнитного поля на магнетроне, слегка 'размазывая' плазменное облако. Это помогло улучшить покрываемость.
Но был и провал. Попробовали добавить в процесс немного ацетилена для получения слоя CrCN, который должен быть твёрже. Не учли, что углерод сильно меняет проводимость растущей плёнки. На подложке начал накапливаться заряд, что привело к локальным перегревам и отслоениям. Вернулись к чистому CrN, но с оптимизированным временем осаждения и bias-напряжением. Результат клиента устроил. Такие неудачи — часть работы, они лучше любой теории показывают границы применимости метода.
Когда рассматриваешь установку для ионно-плазменного напыления, смотришь не на блестящую камеру, а на 'начинку'. Вакуумная система: скорость откачки, конечный вакуум. Для большинства процессов достаточно 5*10^-3 Па, но если планируешь работать с очень активными металлами (титан, цирконий), лучше иметь запас. Система подачи газа: масс-расходчики или ротаметры? Масс-расходчики точнее и стабильнее, особенно для реактивного напыления.
Система управления. Удобный интерфейс — это хорошо, но важнее возможность программировать сложные циклы: очистка, нагрев, несколько слоёв с разными параметрами, плавные изменения напряжения и потоков газа. Жёстко зашитые программы — это тупик. В этом плане интересны решения, которые предлагают производители, глубоко погружённые в тему, вроде ООО Чжэнчжоу Лицзя Термического Напыления Оборудования. Их подход, судя по описанию на https://www.lijiacoating.ru, как раз строится на исследованиях и разработке, а значит, в конструкции может быть заложена гибкость под реальные технологические задачи, а не просто сборка из комплектующих.
И последнее — сервис и доступность запчастей. Катодная мишень — расходник. Нагреватели, уплотнения, датчики — всё это ломается и изнашивается. Важно, чтобы можно было относительно быстро получить замену, а не ждать полгода поставки из-за границы. Иногда стоит выбрать менее 'продвинутую' модель, но с хорошей сервисной поддержкой в регионе.
Куда движется ионно-плазменное напыление в вакуумной камере? Сейчас явный тренд — гибридизация. Не просто DC магнетрон, а импульсный (HiPIMS), или комбинация с дуговым испарением, или с ионной имплантацией. Это позволяет получать ещё более плотные, гладкие и адгезивные покрытия. Но сложность и стоимость установки растёт экспоненциально.
Другой путь — интеллектуализация управления. Датчики, отслеживающие в реальном времени состав плазмы (OES — оптическая эмиссионная спектроскопия), толщину и даже напряжение на растущей плёнке. Обратная связь и адаптивное управление процессом. Это уже не кустарный цех, а высокотехнологичное производство.
Но основа остаётся прежней: глубокое понимание физики процесса, внимательность к деталям на каждом этапе — от загрузки детали до вентиляции камеры. Без этого даже самая дорогая установка будет выдавать посредственный результат. Метод далеко не исчерпал себя, он просто требует от инженера или технолога не нажимать кнопки, а думать и экспериментировать. Как, впрочем, и всегда в нашей работе.